SK海力士（SK Hynix）正在其清州M15X工廠安裝一條全新的1b DRAM試生產線，以應對不斷攀升的高帶寬存儲器（HBM）需求。據The Bell消息，設備安裝計劃于今年11月完成，試生產線初期預計月產能達到一萬片晶圓。

業內分析指出，面對人工智能帶動的存儲器市場擴張，SK海力士和美光（Micron）選擇1b DRAM架構作為技術路線，而三星則專注于面向HBM4應用的1c DRAM技術。各大廠商策略分化，凸顯搶占AI存儲市場份額的緊迫性。

另一方面，存儲器價格調整已成行業普遍現象。TrendForce援引SeDaily和Business Korea消息稱，SK海力士目前正在與客戶洽談價格，但尚未有正式公告，公司正根據市場趨勢動態調整售價。美光本月初率先通知渠道伙伴DRAM價格將上漲20%至30%；隨后，三星也告知主要客戶第四季度DRAM合同價格（包括LPDDR4X及LPDDR5/5X等型號）將提高15%至30%。NAND產品漲價同樣明顯，合同價格方面，eMMC與UFS預計上漲5%至10%。

TrendForce預測，隨著QLC SSD產能持續攀升，企業級SSD供應鏈在2026年可能出現緊張態勢，AI推理類應用有望將強勁需求延續至2027年。更多詳情可參見TrendForce、Se Daily、Aju News與Business Korea的相關報道。